반도체 부품 가공은 반도체 부품과 집적 회로를 제조하는 관건적인 부분으로, 주로 다음과 같은 몇 단계를 포함한다: 주괴: 주괴는 폴리실리콘 재료를 고온을 통해 단결정 실리콘 주괴로 정련하는 과정이며, 반도체 재료를 제조하는 기초이다.슬라이스: 단결정 실리콘 주괴를 얇게 썰어 실리콘 조각을 얻는다. 연마: 연마는 실리콘 조각을 평평하게 하여 표면을 매끄럽게 하여 후속 가공의 요구에 부합하도록 하는 것이다.광택: 광택은 실리콘 조각의 표면을 한층 더 처리하여 표면을 더욱 매끄럽게 하고 표면의 거칠음을 감소시켜 부품의 성능을 향상시키는 데 유리하다.외연: 외연은 실리콘 조각에 단결정 실리콘이 한 층 성장하는 과정으로 일반적으로 집적회로와 마이크로전자 부품을 제조하는 데 사용된다.산화: 산화는 실리콘 조각을 고온 산화제에 넣어 표면에 산화막을 형성하는 과정이다.산화막은 규소조각의 표면을 보호할수 있으며 동시에 그 표면성질을 개변시킬수 있어 각종 부품을 제조하는데 유리하다.혼합: 혼합은 불순물을 실리콘 조각에 끌어들여 전기학적 성질을 바꾸는 과정이다.혼합은 반도체 부품을 제조하는 중요한 단계 중 하나로 부품의 전도 성능을 제어할 수 있다.용접: 용접은 반도체 부품과 회로기판을 함께 연결하는 과정으로 일반적으로 용접, 접착 또는 압착 등의 방법을 사용한다.테스트 및 패키지: 테스트는 반도체 부품의 기능과 성능이 요구에 부합하는지 확인하는 과정입니다.패키징은 반도체 부품을 외부 환경과 기계 손상으로부터 보호하기 위해 보호 케이스 안에 패키징하는 것이다.반도체 부품 가공은 가공된 반도체 부품과 집적회로의 성능과 품질을 보장하기 위해 고정밀 설비와 엄격한 품질 제어 체계를 필요로 한다