1. ایک چیپ متحدہ سیرکیٹ پرسس ایک طرح طرح طرح کی تکنولوژی کے کامل مجموعہ سے استعمال کرتا ہے جیسے گرینڈ، پولیسینگ، اکسیڈ، دیفسوژ، فوٹولیٹگرافی، اپیٹکسیل رشد، اور ایک دوسرے ٹرانسیستر، ڈیوڈ، مقاومت کرنے والے، کپسٹر، اور ایک چھوٹی سیلیکون وافور پر دوسرے متحدوں کو استعمال کرتا ہے، اور ایک دوسرے کے متحدوں کو ایک دوسرے سے الکتریکی عملکرد کے م پھر ایک آلومینیم لائر سیلیکون وافر کے سطح پر اخراج کی جاتی ہے اور فوٹولیٹوگرافی ٹیکنالوجی کے استعمال کے مطابق ایک پٹرنک پٹرنک میں اخراج کی جاتی ہے، جو مطابق مطابق کامل سیرکیٹ میں اتصال کرنا اجازت دیتا ہے، اور ایک سیم راندوگر ایک چیپ کا اتصال کرنا ہے

ایک چیپ متحدہ سیرکیٹ

ایک چیپ کی تغییر کے ساتھ سیرکیٹوں کی تغییر کے ساتھ چھوٹی سیرکیٹ سے میڈنی سیکٹ سے بڑی سیکٹ تک اور زیادہ بڑی سیکٹ سیرکیٹ تک پہنچائی گئی ہے مثال، ڈوپینگ ڈفاسی ڈوپینگ ion implantation doping پرسس سے بدل دیا جاتا ہے، UV معمولی لیٹوگرافی نے ایک کامل مجموعہ کی مکمل مخلوقات تکنولوژی میں تخلیق کی ہے، جیسے الکترون بیم کھولنے والی پلیٹ بنانے، پلاسمائی اٹینگ، رکتیو یون میلینگ، غیر اپیٹکسیل کی رشد بھی زیادہ بلند واکوم مولکولی بیم اپیٹکسیلی ٹیکنالوجی کو قبول کرتی ہے۔ شیمیایی vapor deposition ٹیکنالوجی کے استعمال کرتے ہیں پولیکریستلین سیلیکون، سیلیکون ڈیوکسیڈ اور سطح پاسفارشین فیلموں کے سامنے، آلومینیم یا سونے کے استعمال کے علاوہ، interconnected thin lines also adopt processes such as chemical vapor deposition heavily doped polycrystalline silicon thin films and precious metal silicide thin films, as well as multi layer interconnection structures.

ایک چیپ متحدہ سیرکیٹ ایک متحدہ سیرکیٹ ہے جو ایک یونیٹ سیرکیٹ فعالکیوں کو بغیر بیرون رقموں کے ضرورت کے کامل کرتا ہے. ایک چیپ انٹرنیج کے لئے یہ ضرورت ہے کہ مقاومت کرنے والوں, کاپسنسٹروں اور پاور دستگاه کی تفریق کریں جو کمینٹرنیج کرنے کے لئے مشکل ہیں، اور ایک دوسرے سے ایک قسمت کو ایک دوسرے سے الگ کرنے کے مسئلہ ہے.

2. ٹرانسیستور، ڈیوڈ، مقاومت کرنے والا، کاپسٹور، اینڈاکتور اور تمام سیرکیٹ کے دوسرے اجزاء اور ان کے درمیان نقطے، سب metal, semiconductor, metal oxide، مختلف متنال مختلف فاز سے بنائے جاتے ہیں، ایک میکرون سے کم زیادہ گھاٹی فیلموں کے ذریعے لگاتے ہیں، اور واکوم اخراج پروسس کے ذریعے پورپ کر دیے جاتے ہیں، سپٹرینگ پروسس اور الکتروپٹ پروس اس پرسس کے ذریعہ سے سارکیٹ سیرکیٹ کا نام ہے ایک ٹینک فیلم متصل سیرکیٹ۔ Main process:

000

سورکیٹ دیاگرام کے مطابق پہلی بار اسے چند فعالیت رقم دیاگرام میں تقسیم کریں پھر اسے سیرکیٹ لیاگرم میں تبدیل کرنے کے لئے پلاناری سیرکیٹ لیاگرم کی طرح استعمال کریں اور پھر اسے سپرینٹ پرینٹ کے لئے ٹیٹ فلم نیٹ ورک ٹیپلٹ کے مطابق پیدا کرنے کے لئے فیٹوپیٹ

زیستراٹ پر مٹی فیلم نیٹورک ایجاد کرنے کے لئے اصلی پروسس پرینٹ، سینٹر اور مقاومت ٹونٹ کر رہے ہیں. عام طور پر استعمال ہوا پرینٹ طریقہ پرینٹ ہے.

جن 9314جن کے بارے میں اورجینیک بینڈر کامل ٹکڑے اور ٹکڑے ٹکڑے ہوتے ہیں اور سیدھا پاور گھس جاتا ہے، ٹکڑے جاتا ہے اور ایک گہرے اور قوی گہرے فلم بنانے کے لئے جمع ہوتا ہے. گلے فیلموں کی کیفیت اور عملکرد سینٹرینگ پرسس اور محیط اقیانوس کے ساتھ نزدیک مرتبہ ہے. گلاس جاری سے پہلے آرجینک ماده کی کامل ہلاکت کا مضبوط ہونا چاہیے کہ گرمی رض آہستہ ہونا چاہیے۔ تنگ زمانہ اور بالا ترین تولید استعمال ہونے والی مضبوط مضبوط ہے. تاریک فلم کے پھوٹنے سے روکنے کے لئے، ٹھنڈ ریٹ بھی کنٹرول ہونا چاہیے۔ جتنی معمولی طور پر استعمال کیا جاتا ہے سونل کیلن ہے.

جن 9315;گہرے فلم نیٹورک کے اچھی فعالیت کو پہنچانے کے لئے مقاومت کرنے والوں کو شلیک کے بعد سمجھنا ضروری ہے. عام مقاومت تغییر کے مطابق سندھی، لزر اور وولٹیج پالس تغییر کے ساتھ ہیں.

3. گھاٹی فلم متحدہ سیرکیٹ تکنولوژی استعمال کرتا ہے اسکرینٹ پرینٹ کے لئے آلومینیوم اکسید، بریلیوم اکسید کرامیک، یا سیلیکون کربیڈ سپٹریٹ کے لئے ڈیلکسٹریک، اور کنٹر کوٹینگ استعمال کرتا ہے. ڈیسپیشن پرسس ایک پاکیزہ ویر مچ کے مطابق مختلف فیلموں کے نمونے بنانے کے لئے موجود ہے. This pattern is made using photographic methods, and latex is used to block the mesh holes in any area where no coating is deposited. پاکیزگی کے بعد آلومینا اسپٹراٹ کے ساتھ داخلی ارتباط خطوط، ترمینلی سولڈرینگ منطقه، چیپ اڈیسیون منطقه، کاپسٹر نیچے الکتروڈ، اور کنڈر فلم بنانے کے لئے منتقل کئے جاتے ہیں. خشک ہونے کے بعد حصے 750 اور 950 °درجے کے درمیان تخمین میں پکڑے جاتے ہیں تاکہ انڈیزور بنا دیں، کنڈوور مواد کو مٹا دیں، پھر انڈیزور اور شلیک پروسسوں کا استعمال کریں مقاومت کرنے والوں، کاپسنسٹروں، جپٹروں، انڈیلوٹروں اور رنگ مہر بنائیں. فعال دستگاه طریقے سے بنائے گئے ہیں جیسے کم ایٹیکٹیک ویلڈینگ، رفائل سولڈرنگ، کم گلونے پوینٹ بنپ مخالف سولڈرینگ، یا بیم ٹائپ لیڈر، پھر آگ میں آگ لگائے ہوئے سوپٹریٹ پر مائٹ کئے گئے ہیں، پھر نڈریاں گلوں فلم سیرکیٹ بنانے کے لئے حل ک

000

گہرے فلم سیرکیٹوں کی ٹیٹی 7-40 میکرونز ہے۔ بہت سی لائر ویرینگ کے مطابق مطابق فیلم ٹیکنالوجی کے مطابق مطابق ہے، اور بہت سی لائر ٹیکنالوجی کے مطابق مطابق اچھی ہے، جو دوسری جماعت کی گھونٹی بہت اچھی کر سکتا ہے. اور اس کے علاوہ، پلاسما اسپری، فلام اسپری، پرینٹ اور پیسٹ پیسٹ پرسس سب نو گہرے فلم پرسس ٹیکنالوجی ہیں۔ سینڈ فلم کی مثال جیسے سیرکیٹ، سیرکیٹ فلم کی تفریق سیرکیٹ بھی ہیبریڈ پرسس استعمال کرتا ہے کیونکہ گہری فلم ٹرانسیٹر ابھی تک فعال نہیں ہیں.

4. پروسس کی تعریفیں: ایک چیپ ایک سیرکیٹ اور ٹینک فلم اور ٹینک فلم کی سیرکیٹ ایک دوسرے کے لئے اپنی تعریفیں ہیں اور ایک دوسرے کو اضافہ کر سکتے ہیں۔ عمومی سیرکیٹوں اور استاندارڈ سیرکیٹوں کی تعداد بڑی ہے، اور ایک چیپ متحدہ سیرکیٹ استعمال کر سکتے ہیں. کم درخواست یا غیر استاندارڈ سیرکیٹ کے لئے ایک ہیبریڈ پروسس استعمال کیا جاتا ہے، جس میں استاندارڈیز ایک چیپ کے ساتھ سیرکیٹ اور ہیبریڈ سیرکیٹ کے ساتھ فعال اور پذیر رغتوں کے ساتھ استعمال کیا جاتا ہے. ٹک فیلم اور ٹک فیلم ایک دوسرے کے ساتھ ایک دوسرے کے ساتھ ایک دوسرے کو ایک دوسرے سے مختلف کرتا ہے۔ گہرے فلم ٹیکنالوجی میں استعمال کیا گیا ہے، سیرکیٹ ڈیکنائن ہلکس ہے، پیدائش سائلہ تھوڑا ہے، اور گرم ڈیسپٹ اچھا ہے، اس وجہ سے، یہ سیرکیٹوں میں بہت زیادہ استعمال کیا جاتا ہے، بلند طاقت، اور کم زیادہ تنگ تنگی کی اجزاء پاسفی اجزاء کے لئے. اس کے علاوہ، بہت سی لائر ویرینگ کی آسانی کے باعث گہرے فلم سیرکٹوں کی تولید پروسس میں، بڑی سیرکٹ چیپز بڑی بڑی سیرکٹ سیرکٹ میں جمع کئے جائیں گے جو ایک چیپ متحدہ سیرکٹ کے قابلیت کے بعد زیادہ پیچیدہ کارکیلوں میں جمع کئے جائیں، ایک یا بہت سی فناوری سیرکٹ چیپ متحدہ سیرکٹ چیپوں میں بھی جمع کئے جائیں گے.

5. استعمال اور دفاع: (1) انٹرایج سیرکیٹ استعمال کے موقع میں ان کی حدود مقداروں سے زیادہ زیادہ نہیں کرسکتے۔ جب پاور پورٹ وریٹ وریٹ وریٹ کی حدود 10% سے زیادہ بدل جاتی ہے تو الکتریکی پارامیٹر مطابق مطابق مقداروں کے ساتھ پوری کرنا چاہی جب سیرکیٹ میں استعمال ہونے والی قوت روشنی روشن ہوتی ہے اور خاموش ہوتی ہے تو کوئی ایسا نہیں ہونا چاہیے کہ اس طرح سیرکیٹ ٹوٹ کر دیتی ہے۔

(2) تفریق سیرکیٹوں کی عملیات تولید معمولا -30 ~85 °درجے کے درمیان ہے، اور وہ جتنی ممکن ہے گرمی سورجوں سے دور دور رکھے جائیں گے۔

(3) جب ایک سیرکیٹ کو ہاتھ سے حل کر دیا جاتا ہے تو 45W سے زیادہ طاقت کے ساتھ آئوروں کا حل نہیں کرنا چاہیے اور ہمیشہ حل کا وقت 10 سیکڈ سے زیادہ نہ ہونا چاہیے۔

(4) MOS متحدہ سیرکیٹوں کے لئے، گٹر الکتروسٹیک ایڈنڈ ڈونڈ سے روکنے کے لئے ضرورت ہے.

اوپر ایک معلومات ہے جگہ سیرکیٹ ٹیکنالوجی کے لئے۔ آج ایک چیپ متحدہ سیرکیٹ نہیں صرف بلند متحدہ کی طرف متوجہ ہوتے ہیں بلکہ بلند طاقت، خطی، بلند فرکانسی سیرکیٹ اور آنالوگ سیرکیٹ کی طرف متوجہ ہوتے ہیں. However, in terms of microwave integrated circuits and high-power integrated circuits, thin film and thick film hybrid integrated circuits still have advantages. مخصوص انتخاب میں، ایک چیپ کی مختلف مختلف مختلف مختلف مختلف مختلف مختلف مختلف مختلف مختلف سیرکیٹوں کے ساتھ ملے جاتے ہیں، مخصوصاً مضبوط نیٹورک مقاومت کرنے والے اور مقاومت کرنے والے نیٹورک سپٹراٹوں کے ساتھ ملے جاتے ہیں جو ٹیٹ فیلم مقاومت کرنے والے اور رابطہ بانڈوں سے جمع ہوئے ہیں، ایک جب ضروری ہوتی ہے، ایک فرق بہت چھوٹی رقم بھی ٹکڑے یا تمام ماشین کے ساتھ اتصال ہو سکتی ہیں۔